(Eng:
carrier mobility) In halfgeleidermateriaal verwijst de term naar de gemiddelde driftsnelheid van elektronen en gaten per eenheid van een elektro statisch veld. In germanium is de mobiliteit van de elektronen 3,6x102cm2/E en de mobiliteit van de gaten 1,7x102cm2/E.
Gevonden op
https://www.angelfire.com/ca/vlietstra/ELECTRON.pdf
(Eng:
carrier mobility) In halfgeleidermateriaal verwijst de term naar de gemiddelde driftsnelheid van elektronen en gaten per eenheid van een elektro statisch veld. In germanium is de mobiliteit van de elektronen 3,6x102cm2/E en de mobiliteit van de gaten 1,7x102cm2/E.
Gevonden op
https://www.angelfire.com/ca/vlietstra/ELECTRON.pdf
Geen exacte overeenkomst gevonden.
